主要技術(shù)參數(shù):
測試電流IM:1~200mA。控制精度:±1%±0.1mA;
正向加熱電流IT:1~100A。控制精度:±1%±0.1A;
正向壓降VF測量范圍:0.0000V~8.0000V 。測量精度:±0.01%±0.0001V,顯示精度:0.0001V;
溫度測量范圍(TA、Ta、TC、TL):10.0℃~199.9℃。測量精度:±0.2%±0.2℃,顯示精度:0.1℃;
測試取樣間隔時間:1~10S。分辯率:1S;
M與IT的轉(zhuǎn)換間隔時間:200uS~1000uS。分辯率:1uS;
可控硅IGT觸發(fā)電流:0~100mA。分辯率:0.1mA;
IGBT的Vge電壓:0~15V。分辯率:0.1V。