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高溫反偏試驗系統
系統能滿足各種封裝形式的二極管、三極管、半橋、場效應管、可控硅、IGBT等系列器件在高溫高濕環境下進行反向偏壓試驗。
集成電路高溫動態老化系統
適用于各種封裝形式的大、中、小規模數字、模擬、數模混合集成電路,包括微處理器、邏輯電路、可編程器件、存儲器、A/D、D/A等器件的工作壽命試驗和高溫動態老煉篩選。
間歇壽命試驗系統
適用于各種封裝形式的二極管、三極管、MOSFET、IGBT等器件的間歇壽命試驗和穩態壽命試驗。
GK-H3TRB
高溫高濕反偏試驗系統
系統能滿足各種封裝形式的二極管、三極管、半橋、場效應管、可控硅、IGBT等系列器件在高溫高濕環境下進行反向偏壓試驗。
高溫柵偏實驗系統
系統能滿足各種封裝形式的MOSFET、IGBT等器件的高溫柵偏試驗。
IGBT功率循環
適用于各種封裝的IGBT模塊進行K系數測試、穩態熱阻測試及功率循環試驗。
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服務熱線
0571-8585 6333
聯系郵箱:gk@hzgkdz.com
公司地址:浙江省杭州市余杭區閑林工業園裕豐路7號
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